シンビオ社会研究会 原子力WEB教材


KB番号/012高温による回路基盤(Si基盤)のリーク電流増大

KB番号:012

概要説明:高温による回路基盤(Si基盤)のリーク電流増大

ストレス大分類:温度

ストレス小分類:高温

故障メカニズム大分類:アロイスパイク

故障メカニズム小分類:

故障フェーズⅠ:高温処理

故障フェーズⅡ:絶縁劣化

故障モード:リーク電流増大

アイテム:回路基盤(Si基盤)

故障の発生原理:

故障モードの検出:SEM?

+  SEM

主な業界・分野:

抑制対策(再発防止策):

抑制対策(評価基準):

備考:

Last-modified: 2010-04-30 (金) 04:02:06 (4193d)