シンビオ社会研究会 原子力WEB教材


KB番号/121MOSFETのドレインへの電圧印加による集積回路の動作スピードの遅れ

KB番号:121

概要説明:MOSFETのドレインへの電圧印加による集積回路の動作スピードの遅れ

ストレス大分類:電界

ストレス小分類:MOSFETのドレインへの電圧印加

故障メカニズム大分類:素子や酸化膜の劣化(ホットキャリア)

故障メカニズム小分類:

故障フェーズⅠ:酸化膜中へのキャリア注入(特性変動)

故障フェーズⅡ:素子劣化

故障モード:動作スピードの遅れ

アイテム:集積回路

故障の発生原理:(劣化寿命と基盤電流の関係)

故障モードの検出:SEM?

+  SEM

主な業界・分野:電子デバイス、高分子材料、電力

抑制対策(再発防止策):

抑制対策(評価基準):

備考:

Last-modified: 2010-04-30 (金) 04:17:50 (4488d)