KB番号/122電源電圧変動、サージによるＭＯＳ－ＩＣ、ＣＭＯＳ－ＩＣの絶縁不良
KB番号：122
概要説明：電源電圧変動、サージによるＭＯＳ－ＩＣ、ＣＭＯＳ－ＩＣ（ＮＰＮ、ＰＮＰ)の絶縁不良
ストレス大分類：電界
ストレス小分類：電源電圧変動、サージ
故障メカニズム大分類：ラッチアップ?
| ラッチアップ |
故障メカニズム小分類：
故障フェーズⅠ：寄生のサイリスタ→ＯＮ状態へ
故障フェーズⅡ：大電流の導電
故障モード：絶縁不良
アイテム：ＭＯＳ－ＩＣ、ＣＭＯＳ－ＩＣ（ＮＰＮ、ＰＮＰ)
故障の発生原理：
故障モードの検出：過流探傷機
主な業界・分野：電子デバイス、高分子材料、電力
抑制対策(再発防止策)：
抑制対策(評価基準)：
備考：
Link: tag/電子デバイス、高分子材料、電力(5099d)
tag/過流探傷機(5099d)
tag/寄生のサイリスタ→ＯＮ状態へ(5099d)
tag/大電流の導電(5099d)
tag/絶縁不良(5099d)
tag/電界(5099d)
Last-modified: 2010-04-30 (金) 20:26:18 (5099d)