シンビオ社会研究会 原子力WEB教材


KB番号/122電源電圧変動、サージによるMOS-IC、CMOS-ICの絶縁不良

KB番号:122

概要説明:電源電圧変動、サージによるMOS-IC、CMOS-IC(NPN、PNP)の絶縁不良

ストレス大分類:電界

ストレス小分類:電源電圧変動、サージ

故障メカニズム大分類:ラッチアップ?

+  ラッチアップ

故障メカニズム小分類:

故障フェーズⅠ:寄生のサイリスタ→ON状態へ

故障フェーズⅡ:大電流の導電

故障モード:絶縁不良

アイテム:MOS-IC、CMOS-IC(NPN、PNP)

故障の発生原理:

故障モードの検出:過流探傷機

主な業界・分野:電子デバイス、高分子材料、電力

抑制対策(再発防止策):

抑制対策(評価基準):

備考:

Last-modified: 2010-04-30 (金) 20:26:18 (4487d)