シンビオ社会研究会 原子力WEB教材


KB番号/123高温電圧によるMOSデバイスの動作スピードの遅れ

KB番号:123

概要説明:高温電圧によるMOSデバイスの動作スピードの遅れ

ストレス大分類:電界

ストレス小分類:高温電圧

故障メカニズム大分類:スロートラップ

故障メカニズム小分類:

故障フェーズⅠ:電荷によるSi表面電位の変動

故障フェーズⅡ:電気的特性の安定性や再現性へ影響

故障モード:動作スピードの遅れ

アイテム:MOSデバイス

故障の発生原理:

故障モードの検出:SEM?

+  SEM

主な業界・分野:電子デバイス、高分子材料、電力

抑制対策(再発防止策):

抑制対策(評価基準):

備考:

Last-modified: 2010-04-30 (金) 04:18:13 (4488d)