KB番号/158高電圧による半導体ＩＣメモリ、ＭＯＳメモリの一過性の誤動作

シンビオ社会研究会原子力WEB教材

KB番号：158

概要説明：高電圧による半導体ＩＣメモリ、ＭＯＳメモリの一過性の誤動作

ストレス大分類：特殊故障

ストレス小分類：高電圧

故障メカニズム大分類：放射線?

故障メカニズム小分類：ソフトエラー

故障フェーズⅠ：σ線の照射

故障フェーズⅡ：情報の反転

故障モード：一過性の誤動作

アイテム：半導体ＩＣメモリ、ＭＯＳメモリ

故障の発生原理：

故障モードの検出：SEM?

SEM

主な業界・分野：

抑制対策(再発防止策)：

抑制対策(評価基準)：

備考：

Last-modified: 2010-04-30 (金) 21:14:26 (5108d)

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