シンビオ社会研究会 原子力WEB教材

KB番号/012高温による回路基盤(Si基盤)のリーク電流増大

KB番号：012

概要説明：高温による回路基盤(Si基盤)のリーク電流増大

ストレス大分類：温度

ストレス小分類：高温

故障メカニズム大分類：アロイスパイク

故障メカニズム小分類：

故障フェーズⅠ：高温処理

故障フェーズⅡ：絶縁劣化

故障モード：リーク電流増大

アイテム：回路基盤(Si基盤)

故障の発生原理：

故障モードの検出：SEM?

+  SEM

主な業界・分野：

抑制対策(再発防止策)：

抑制対策(評価基準)：

備考：

 
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Last-modified: 2010-04-30 (金) 04:02:06 (5109d)
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