tag/電子デバイス、高分子材料、電力
[ back ]
_ 電子デバイス、高分子材料、電力
- KB番号/105妨害電波による入力、接地回路シールド不良の誤動作、電力破壊、電圧破壊
- KB番号/106瞬時停電による電源回路の誤動作、電力破壊、電圧破壊
- KB番号/107雑音(内部、外部)による入力接地回路デバイスの誤動作、電力破壊、電圧破壊
- KB番号/108雷、誘電雷による入力接地回路保護デバイスの誤動作、電力破壊、電圧破壊
- KB番号/109サージ電流による入力接地電源回路スイッチの誤動作、電力破壊、電圧破壊
- KB番号/110低負荷による磨耗
- KB番号/111高電圧＋時間による集積回路の絶縁破壊
- KB番号/113過電圧による結晶性高分子、電力ケーブルの絶縁破壊?
- KB番号/114過電圧による結晶性高分子、電力ケーブルの絶縁破壊電圧低下?
- KB番号/115高電圧による半導体内部の接触部の発熱、発火
- KB番号/116高電圧による電路の接続部分の発熱、発火
- KB番号/117高電圧によるＷ、Ｎｉの絶縁物の生成
- KB番号/118高電圧による接合破壊
- KB番号/119高電圧によるイオン移動
- KB番号/120高電圧による不純物析出
- KB番号/121ＭＯＳＦＥＴのドレインへの電圧印加による集積回路の動作スピードの遅れ
- KB番号/122電源電圧変動、サージによるＭＯＳ－ＩＣ、ＣＭＯＳ－ＩＣの絶縁不良
- KB番号/123高温電圧によるＭＯＳデバイスの動作スピードの遅れ
Link: KB番号/122電源電圧変動、サージによるＭＯＳ－ＩＣ、ＣＭＯＳ－ＩＣの絶縁不良(5107d)
KB番号/123高温電圧によるＭＯＳデバイスの動作スピードの遅れ(5108d)
KB番号/121ＭＯＳＦＥＴのドレインへの電圧印加による集積回路の動作スピードの遅れ(5108d)
KB番号/116高電圧による電路の接続部分の発熱、発火(5108d)
KB番号/115高電圧による半導体内部の接触部の発熱、発火(5108d)
KB番号/111高電圧＋時間による集積回路の絶縁破壊(5108d)
KB番号/109サージ電流による入力接地電源回路スイッチの誤動作、電力破壊、電圧破壊(5108d)
KB番号/108雷、誘電雷による入力接地回路保護デバイスの誤動作、電力破壊、電圧破壊(5108d)
KB番号/107雑音(内部、外部)による入力接地回路デバイスの誤動作、電力破壊、電圧破壊(5108d)
KB番号/106瞬時停電による電源回路の誤動作、電力破壊、電圧破壊(5108d)
KB番号/105妨害電波による入力、接地回路シールド不良の誤動作、電力破壊、電圧破壊(5108d)
KB番号/120高電圧による不純物析出(5108d)
KB番号/119高電圧によるイオン移動(5108d)
KB番号/118高電圧による接合破壊(5108d)
KB番号/117高電圧によるＷ、Ｎｉの絶縁物の生成(5108d)
KB番号/110低負荷による磨耗(5108d)
Last-modified: 2010-04-30 (金) 20:44:35 (5107d)