KB番号/122電源電圧変動、サージによるMOS-IC、CMOS-ICの絶縁不良
KB番号:122
概要説明:電源電圧変動、サージによるMOS-IC、CMOS-IC(NPN、PNP)の絶縁不良
ストレス大分類:電界
ストレス小分類:電源電圧変動、サージ
故障メカニズム大分類:ラッチアップ?
ラッチアップ |
故障メカニズム小分類:
故障フェーズⅠ:寄生のサイリスタ→ON状態へ
故障フェーズⅡ:大電流の導電
故障モード:絶縁不良
アイテム:MOS-IC、CMOS-IC(NPN、PNP)
故障の発生原理:
故障モードの検出:過流探傷機
主な業界・分野:電子デバイス、高分子材料、電力
抑制対策(再発防止策):
抑制対策(評価基準):
備考:
Link: tag/電子デバイス、高分子材料、電力(5282d)
tag/過流探傷機(5282d)
tag/寄生のサイリスタ→ON状態へ(5282d)
tag/大電流の導電(5282d)
tag/絶縁不良(5282d)
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Last-modified: 2010-04-30 (金) 20:26:18 (5282d)