tag/電界
[ back ]
_ 電界
- KB番号/105妨害電波による入力、接地回路シールド不良の誤動作、電力破壊、電圧破壊
- KB番号/106瞬時停電による電源回路の誤動作、電力破壊、電圧破壊
- KB番号/107雑音(内部、外部)による入力接地回路デバイスの誤動作、電力破壊、電圧破壊
- KB番号/109サージ電流による入力接地電源回路スイッチの誤動作、電力破壊、電圧破壊
- KB番号/110低負荷による磨耗
- KB番号/111高電圧+時間による集積回路の絶縁破壊
- KB番号/112過電圧による結晶性高分子、電力ケーブルの絶縁破壊
- KB番号/113過電圧による結晶性高分子、電力ケーブルの絶縁破壊?
- KB番号/114過電圧による結晶性高分子、電力ケーブルの絶縁破壊電圧低下?
- KB番号/115高電圧による半導体内部の接触部の発熱、発火
- KB番号/116高電圧による電路の接続部分の発熱、発火
- KB番号/117高電圧によるW、Niの絶縁物の生成
- KB番号/118高電圧による接合破壊
- KB番号/119高電圧によるイオン移動
- KB番号/120高電圧による不純物析出
- KB番号/121MOSFETのドレインへの電圧印加による集積回路の動作スピードの遅れ
- KB番号/122電源電圧変動、サージによるMOS-IC、CMOS-ICの絶縁不良
- KB番号/123高温電圧によるMOSデバイスの動作スピードの遅れ
Link: KB番号/112過電圧による結晶性高分子、電力ケーブルの絶縁破壊(5301d)
KB番号/122電源電圧変動、サージによるMOS-IC、CMOS-ICの絶縁不良(5301d)
KB番号/123高温電圧によるMOSデバイスの動作スピードの遅れ(5302d)
KB番号/121MOSFETのドレインへの電圧印加による集積回路の動作スピードの遅れ(5302d)
KB番号/116高電圧による電路の接続部分の発熱、発火(5302d)
KB番号/115高電圧による半導体内部の接触部の発熱、発火(5302d)
KB番号/111高電圧+時間による集積回路の絶縁破壊(5302d)
KB番号/109サージ電流による入力接地電源回路スイッチの誤動作、電力破壊、電圧破壊(5302d)
KB番号/107雑音(内部、外部)による入力接地回路デバイスの誤動作、電力破壊、電圧破壊(5302d)
KB番号/106瞬時停電による電源回路の誤動作、電力破壊、電圧破壊(5302d)
KB番号/105妨害電波による入力、接地回路シールド不良の誤動作、電力破壊、電圧破壊(5302d)
KB番号/120高電圧による不純物析出(5302d)
KB番号/119高電圧によるイオン移動(5302d)
KB番号/118高電圧による接合破壊(5302d)
KB番号/117高電圧によるW、Niの絶縁物の生成(5302d)
KB番号/110低負荷による磨耗(5302d)
Last-modified: 2010-04-30 (金) 20:26:21 (5301d)