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''KB番号:''121
''概要説明:''MOSFETのドレインへの電圧印加による集積回路の動作スピードの遅れ
''ストレス大分類:''電界
''ストレス小分類:''MOSFETのドレインへの電圧印加
''故障メカニズム大分類:''素子や酸化膜の劣化(ホットキャリア)
''故障メカニズム小分類:''
''故障フェーズⅠ:''酸化膜中へのキャリア注入(特性変動)
''故障フェーズⅡ:''素子劣化
''故障モード:''動作スピードの遅れ
''アイテム:''集積回路
''故障の発生原理:''(劣化寿命と基盤電流の関係)
''故障モードの検出:''SEM
''主な業界・分野:''電子デバイス、高分子材料、電力
''抑制対策(再発防止策):''(再発防止策)
''抑制対策(評価基準):''
''備考:''
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