KB番号：111
概要説明：高電圧＋時間による集積回路の絶縁破壊
ストレス大分類：電界
ストレス小分類：高電圧＋時間
故障メカニズム大分類：ＴＤＤＢ
故障メカニズム小分類：
故障フェーズⅠ：酸化膜の薄膜化
故障フェーズⅡ：
故障モード：絶縁破壊
アイテム：集積回路
故障の発生原理：定性的なメカニズムとして、以下の2つがあげられている。 ・正電荷起因モデル ・電子およびホールトラップモデル
故障モードの検出：ＳＥＭ
主な業界・分野：電子デバイス、高分子材料、電力
抑制対策(再発防止策)：(再発防止策)
抑制対策(評価基準)：
備考：