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概要説明：高温電圧によるＭＯＳデバイスの動作スピードの遅れ
ストレス大分類：電界
ストレス小分類：高温電圧
故障メカニズム大分類：スロートラップ
故障メカニズム小分類：
故障フェーズⅠ：電荷によるＳｉ表面電位の変動
故障フェーズⅡ：電気的特性の安定性や再現性へ影響
故障モード：動作スピードの遅れ
アイテム：ＭＯＳデバイス
故障の発生原理：
故障モードの検出：ＳＥＭ
主な業界・分野：電子デバイス、高分子材料、電力
抑制対策(再発防止策)：(再発防止策)
抑制対策(評価基準)：
備考：