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概要説明：高電圧による半導体ＩＣメモリ、ＭＯＳメモリの一過性の誤動作
ストレス大分類：特殊故障
ストレス小分類：高電圧
故障メカニズム大分類：放射線
故障メカニズム小分類：ソフトエラー
故障フェーズⅠ：σ線の照射
故障フェーズⅡ：情報の反転
故障モード：一過性の誤動作
アイテム：半導体ＩＣメモリ、ＭＯＳメモリ
故障の発生原理：
故障モードの検出：ＳＥＭ
主な業界・分野：
抑制対策(再発防止策)：(再発防止策)
抑制対策(評価基準)：
備考：