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概要説明：電源電圧変動、サージによるＭＯＳ－ＩＣ、ＣＭＯＳ－ＩＣ（ＮＰＮ、ＰＮＰ)の絶縁不良
ストレス大分類：電界
ストレス小分類：電源電圧変動、サージ
故障メカニズム大分類：ラッチアップ
故障メカニズム小分類：
故障フェーズⅠ：寄生のサイリスタ→ＯＮ状態へ
故障フェーズⅡ：大電流の導電
故障モード：絶縁不良
アイテム：ＭＯＳ－ＩＣ、ＣＭＯＳ－ＩＣ（ＮＰＮ、ＰＮＰ)
故障の発生原理：
故障モードの検出：過流探傷機
主な業界・分野：電子デバイス、高分子材料、電力
抑制対策(再発防止策)：
抑制対策(評価基準)：
備考：