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概要説明:電源電圧による超LSI(場所による)0.2μm以下GaAs、InPの断線、開放
ストレス大分類:特殊故障
ストレス小分類:電源電圧
故障メカニズム大分類:ホットエレクトロン・バリスティック輸送
故障メカニズム小分類:インパクトイオン化
故障フェーズⅠ:電流密度の上昇
故障フェーズⅡ:ボイドの発生
故障モード:断線、開放
アイテム:超LSI(場所による)0.2μm以下GaAs、InP
故障の発生原理:
故障モードの検出:SEM?
SEM |
主な業界・分野:電子デバイス
抑制対策(再発防止策):
抑制対策(評価基準):
備考: