シンビオ社会研究会 原子力WEB教材

• バックアップ一覧
• 差分 を表示
• 現在との差分 を表示
• ソース を表示
• KB番号/158高電圧による半導体ＩＣメモリ、ＭＯＳメモリの一過性の誤動作 へ行く。
  • 1 (2010-04-29 (木) 18:47:21)
  • 2 (2010-04-29 (木) 19:37:18)
  • 3 (2010-04-30 (金) 04:27:02)

KB番号：158

概要説明：高電圧による半導体ＩＣメモリ、ＭＯＳメモリの一過性の誤動作

ストレス大分類：特殊故障

ストレス小分類：高電圧

故障メカニズム大分類：放射線

故障メカニズム小分類：ソフトエラー

故障フェーズⅠ：σ線の照射

故障フェーズⅡ：情報の反転

故障モード：一過性の誤動作

アイテム：半導体ＩＣメモリ、ＭＯＳメモリ

故障の発生原理：

故障モードの検出：SEM?

主な業界・分野：

抑制対策(再発防止策)：

抑制対策(評価基準)：

備考：