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[[KB番号/011高温によるCu、Ag、Fe、Ni、Co、Mn、Au、Pt、Pd、ハロゲン化合物の短絡]]
''KB番号:''012
''概要説明:''高温による回路基盤(Si基盤)のリーク電流増大
''ストレス大分類:''温度
''ストレス小分類:''高温
''故障メカニズム大分類:''アロイスパイク
''故障メカニズム小分類:''
''故障フェーズⅠ:''高温処理
''故障フェーズⅡ:''絶縁劣化
''故障モード:''リーク電流増大
''アイテム:''回路基盤(Si基盤)
''故障の発生原理:''
''故障モードの検出:''[[SEM>tag/sem]]
#region(SEM)
SEM
走査型電子顕微鏡(Scanning Electron Microscope)
#endregion
''主な業界・分野:''
''抑制対策(再発防止策):''
''抑制対策(評価基準):''
''備考:''
#generate_tags()
#set_tags(温度,高温,アロイスパイク,,高温処理,絶縁劣化,リーク電流増大,回路基盤,SEM)