[[KB番号/011高温によるCu、Ag、Fe、Ni、Co、Mn、Au、Pt、Pd、ハロゲン化合物の短絡]] ''KB番号:''012 ''概要説明:''高温による回路基盤(Si基盤)のリーク電流増大 ''ストレス大分類:''温度 ''ストレス小分類:''高温 ''故障メカニズム大分類:''アロイスパイク ''故障メカニズム小分類:'' ''故障フェーズⅠ:''高温処理 ''故障フェーズⅡ:''絶縁劣化 ''故障モード:''リーク電流増大 ''アイテム:''回路基盤(Si基盤) ''故障の発生原理:'' ''故障モードの検出:''SEM ''主な業界・分野:'' ''抑制対策(再発防止策):'' ''抑制対策(評価基準):'' ''備考:'' #generate_tags() #set_tags(高温による回路基盤(Si基盤)のリーク電流増大,温度,高温,アロイスパイク,,高温処理,絶縁劣化,リーク電流増大,回路基盤(Si基盤),,SEM,)