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''KB番号:''111
''概要説明:''高電圧+時間による集積回路の絶縁破壊
''ストレス大分類:''電界
''ストレス小分類:''高電圧+時間
''故障メカニズム大分類:''TDDB
''故障メカニズム小分類:''
''故障フェーズⅠ:''酸化膜の薄膜化
''故障フェーズⅡ:''
''故障モード:''絶縁破壊
''アイテム:''集積回路
''故障の発生原理:''定性的なメカニズムとして、以下の2つがあげられている。 ・正電荷起因モデル ・電子およびホールトラップモデル
''故障モードの検出:''SEM
''故障モードの検出:''[[SEM>tag/sem]]
#region(SEM)
SEM
走査型電子顕微鏡(Scanning Electron Microscope)
#endregion
''主な業界・分野:''電子デバイス、高分子材料、電力
''抑制対策(再発防止策):''(再発防止策)
''抑制対策(再発防止策):''
''抑制対策(評価基準):''
''備考:''
#generate_tags()
#set_tags(高電圧+時間による集積回路の絶縁破壊,電界,高電圧+時間,TDDB,,酸化膜の薄膜化,,絶縁破壊,集積回路,定性的なメカニズムとして、以下の2つがあげられている。 ・正電荷起因モデル ・電子およびホールトラップモデル,SEM,電子デバイス、高分子材料、電力)
#set_tags(高電圧+時間による集積回路の絶縁破壊,電界,高電圧+時間,TDDB,,酸化膜の薄膜化,,絶縁破壊,集積回路,定性的なメカニズムとして、以下の2つがあげられている。 ・正電荷起因モデル ・電子およびホールトラップモデル,SEM,電子デバイス、高分子材料、電力)