シンビオ社会研究会 原子力WEB教材


KB番号/111高電圧+時間による集積回路の絶縁破壊 のバックアップ(No.2)


KB番号:111

概要説明:高電圧+時間による集積回路の絶縁破壊

ストレス大分類:電界

ストレス小分類:高電圧+時間

故障メカニズム大分類:TDDB

故障メカニズム小分類:

故障フェーズⅠ:酸化膜の薄膜化

故障フェーズⅡ:

故障モード:絶縁破壊

アイテム:集積回路

故障の発生原理:定性的なメカニズムとして、以下の2つがあげられている。 ・正電荷起因モデル ・電子およびホールトラップモデル

故障モードの検出:SEM

主な業界・分野:電子デバイス、高分子材料、電力

抑制対策(再発防止策):

抑制対策(評価基準):

備考:

Tag:[sem, 定性的なメカニズムとして、以下の2つがあげられている。 ・正電荷起因モデル ・電子およびホールトラップモデル, 絶縁破壊, 酸化膜の薄膜化, 集積回路, 電子デバイス、高分子材料、電力, 電界, 高電圧+時間, 高電圧+時間による集積回路の絶縁破壊, TDDB]