シンビオ社会研究会 原子力WEB教材


KB番号/115高電圧による半導体内部の接触部の発熱、発火 のバックアップ(No.1)


KB番号:115

概要説明:高電圧による半導体内部の接触部の発熱、発火

ストレス大分類:電界

ストレス小分類:高電圧

故障メカニズム大分類:導電性発熱物の生成

故障メカニズム小分類:亜酸化銅増殖現象

故障フェーズⅠ:亜酸化銅の発生

故障フェーズⅡ:電子雪崩による高温

故障モード:発熱、発火

アイテム:半導体内部の接触部

故障の発生原理:

故障モードの検出:SEM

主な業界・分野:電子デバイス、高分子材料、電力

抑制対策(再発防止策):(再発防止策)

抑制対策(評価基準):

備考:

Tag:[sem, 亜酸化銅の発生, 亜酸化銅増殖現象, 半導体内部の接触部, 導電性発熱物の生成, 発熱、発火, 電子デバイス、高分子材料、電力, 電子雪崩による高温, 電界, 高電圧]