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''KB番号:''115
''概要説明:''高電圧による半導体内部の接触部の発熱、発火
''ストレス大分類:''電界
''ストレス小分類:''高電圧
''故障メカニズム大分類:''導電性発熱物の生成
''故障メカニズム小分類:''亜酸化銅増殖現象
''故障フェーズⅠ:''亜酸化銅の発生
''故障フェーズⅡ:''電子雪崩による高温
''故障モード:''発熱、発火
''アイテム:''半導体内部の接触部
''故障の発生原理:''
''故障モードの検出:''SEM
''故障モードの検出:''[[SEM>tag/sem]]
#region(SEM)
SEM
走査型電子顕微鏡(Scanning Electron Microscope)
#endregion
''主な業界・分野:''電子デバイス、高分子材料、電力
''抑制対策(再発防止策):''(再発防止策)
''抑制対策(再発防止策):''
''抑制対策(評価基準):''
''備考:''
#generate_tags()
#set_tags(高電圧による半導体内部の接触部の発熱、発火,電界,高電圧,導電性発熱物の生成,亜酸化銅増殖現象,亜酸化銅の発生,電子雪崩による高温,発熱、発火,半導体内部の接触部,,SEM,電子デバイス、高分子材料、電力)
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