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概要説明：ＭＯＳＦＥＴのドレインへの電圧印加による集積回路の動作スピードの遅れ
ストレス大分類：電界
ストレス小分類：ＭＯＳＦＥＴのドレインへの電圧印加
故障メカニズム大分類：素子や酸化膜の劣化(ホットキャリア)
故障メカニズム小分類：
故障フェーズⅠ：酸化膜中へのキャリア注入(特性変動)
故障フェーズⅡ：素子劣化
故障モード：動作スピードの遅れ
アイテム：集積回路
故障の発生原理：(劣化寿命と基盤電流の関係)
故障モードの検出：ＳＥＭ
主な業界・分野：電子デバイス、高分子材料、電力
抑制対策(再発防止策)：(再発防止策)
抑制対策(評価基準)：
備考：