シンビオ社会研究会 原子力WEB教材


KB番号/121MOSFETのドレインへの電圧印加による集積回路の動作スピードの遅れ のバックアップの現在との差分(No.2)


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''KB番号:''121

''概要説明:''MOSFETのドレインへの電圧印加による集積回路の動作スピードの遅れ

''ストレス大分類:''電界

''ストレス小分類:''MOSFETのドレインへの電圧印加

''故障メカニズム大分類:''素子や酸化膜の劣化(ホットキャリア)

''故障メカニズム小分類:''

''故障フェーズⅠ:''酸化膜中へのキャリア注入(特性変動)

''故障フェーズⅡ:''素子劣化

''故障モード:''動作スピードの遅れ

''アイテム:''集積回路

''故障の発生原理:''(劣化寿命と基盤電流の関係)

''故障モードの検出:''SEM
''故障モードの検出:''[[SEM>tag/sem]]
#region(SEM)
SEM

走査型電子顕微鏡(Scanning Electron Microscope)
#endregion

''主な業界・分野:''電子デバイス、高分子材料、電力

''抑制対策(再発防止策):''

''抑制対策(評価基準):''

''備考:''

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#set_tags(MOSFETのドレインへの電圧印加による集積回路の動作スピードの遅れ,電界,MOSFETのドレインへの電圧印加,素子や酸化膜の劣化(ホットキャリア),,酸化膜中へのキャリア注入(特性変動),素子劣化,動作スピードの遅れ,集積回路,(劣化寿命と基盤電流の関係),SEM,電子デバイス、高分子材料、電力)
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