シンビオ社会研究会 原子力WEB教材


KB番号/122電源電圧変動、サージによるMOS-IC、CMOS-ICの絶縁不良 のバックアップ差分(No.2)


  • 追加された行はこの色です。
  • 削除された行はこの色です。
''KB番号:''122

''概要説明:''電源電圧変動、サージによるMOS-IC、CMOS-IC(NPN、PNP)の絶縁不良

''ストレス大分類:''電界

''ストレス小分類:''電源電圧変動、サージ

''故障メカニズム大分類:''ラッチアップ

''故障メカニズム小分類:''

''故障フェーズⅠ:''寄生のサイリスタ→ON状態へ

''故障フェーズⅡ:''大電流の導電

''故障モード:''絶縁不良

''アイテム:''MOS-IC、CMOS-IC(NPN、PNP)

''故障の発生原理:''

''故障モードの検出:''過流探傷機

''主な業界・分野:''電子デバイス、高分子材料、電力

''抑制対策(再発防止策):''(再発防止策)
''抑制対策(再発防止策):''

''抑制対策(評価基準):''

''備考:''

#generate_tags()

#set_tags(電源電圧変動、サージによるMOS-IC、CMOS-IC(NPN、PNP)の絶縁不良,電界,電源電圧変動、サージ,ラッチアップ,,寄生のサイリスタ→ON状態へ,大電流の導電,絶縁不良,MOS-IC、CMOS-IC(NPN、PNP),,過流探傷機,電子デバイス、高分子材料、電力)