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''KB番号:''123
''概要説明:''高温電圧によるMOSデバイスの動作スピードの遅れ
''ストレス大分類:''電界
''ストレス小分類:''高温電圧
''故障メカニズム大分類:''スロートラップ
''故障メカニズム小分類:''
''故障フェーズⅠ:''電荷によるSi表面電位の変動
''故障フェーズⅡ:''電気的特性の安定性や再現性へ影響
''故障モード:''動作スピードの遅れ
''アイテム:''MOSデバイス
''故障の発生原理:''
''故障モードの検出:''SEM
''故障モードの検出:''[[SEM>tag/sem]]
#region(SEM)
SEM
走査型電子顕微鏡(Scanning Electron Microscope)
#endregion
''主な業界・分野:''電子デバイス、高分子材料、電力
''抑制対策(再発防止策):''(再発防止策)
''抑制対策(再発防止策):''
''抑制対策(評価基準):''
''備考:''
#generate_tags()
#set_tags(高温電圧によるMOSデバイスの動作スピードの遅れ,電界,高温電圧,スロートラップ,,電荷によるSi表面電位の変動,電気的特性の安定性や再現性へ影響,動作スピードの遅れ,MOSデバイス,,SEM,電子デバイス、高分子材料、電力)
#set_tags(電界,高温電圧,スロートラップ,,電荷によるSi表面電位の変動,電気的特性の安定性や再現性へ影響,動作スピードの遅れ,MOSデバイス,,SEM,電子デバイス、高分子材料、電力)