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概要説明：電源電圧による超ＬＳＩ(場所による)0.2μm以下ＧａＡｓ、ＩｎＰの断線、開放
ストレス大分類：特殊故障
ストレス小分類：電源電圧
故障メカニズム大分類：ホットエレクトロン・バリスティック輸送
故障メカニズム小分類：インパクトイオン化
故障フェーズⅠ：電流密度の上昇
故障フェーズⅡ：ボイドの発生
故障モード：断線、開放
アイテム：超ＬＳＩ(場所による)0.2μm以下ＧａＡｓ、ＩｎＰ
故障の発生原理：
故障モードの検出：ＳＥＭ
主な業界・分野：電子デバイス
抑制対策(再発防止策)：(再発防止策)
抑制対策(評価基準)：
備考：