シンビオ社会研究会 原子力WEB教材


KB番号/156電源電圧による超LSI(場所による)0.2μm以下GaAs、InPの断線、開放 のバックアップ(No.2)


KB番号:156

概要説明:電源電圧による超LSI(場所による)0.2μm以下GaAs、InPの断線、開放

ストレス大分類:特殊故障

ストレス小分類:電源電圧

故障メカニズム大分類:ホットエレクトロン・バリスティック輸送

故障メカニズム小分類:インパクトイオン化

故障フェーズⅠ:電流密度の上昇

故障フェーズⅡ:ボイドの発生

故障モード:断線、開放

アイテム:超LSI(場所による)0.2μm以下GaAs、InP

故障の発生原理:

故障モードの検出:SEM

主な業界・分野:電子デバイス

抑制対策(再発防止策):

抑制対策(評価基準):

備考:

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