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- KB番号/156電源電圧による超LSI(場所による)0.2μm以下GaAs、InPの断線、開放 は削除されています。
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''KB番号:''156
''概要説明:''電源電圧による超LSI(場所による)0.2μm以下GaAs、InPの断線、開放
''ストレス大分類:''特殊故障
''ストレス小分類:''電源電圧
''故障メカニズム大分類:''ホットエレクトロン・バリスティック輸送
''故障メカニズム小分類:''インパクトイオン化
''故障フェーズⅠ:''電流密度の上昇
''故障フェーズⅡ:''ボイドの発生
''故障モード:''断線、開放
''アイテム:''超LSI(場所による)0.2μm以下GaAs、InP
''故障の発生原理:''
''故障モードの検出:''[[SEM>tag/sem]]
#region(SEM)
SEM
走査型電子顕微鏡(Scanning Electron Microscope)
#endregion
''主な業界・分野:''電子デバイス
''抑制対策(再発防止策):''
''抑制対策(評価基準):''
''備考:''
#generate_tags()
#set_tags(電源電圧,ホットエレクトロン・バリスティック輸送,インパクトイオン化,電流密度の上昇,ボイドの発生,断線、開放,超LSI0.2μm以下GaAs、InP,SEM,電子デバイス)