シンビオ社会研究会 原子力WEB教材

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• KB番号/156電源電圧による超ＬＳＩ(場所による)0.2μm以下ＧａＡｓ、ＩｎＰの断線、開放 は削除されています。
  • 1 (2010-04-29 (木) 18:46:34)
  • 2 (2010-04-29 (木) 19:37:03)
  • 3 (2010-04-30 (金) 04:26:11)

''KB番号：''156

''概要説明：''電源電圧による超ＬＳＩ(場所による)0.2μm以下ＧａＡｓ、ＩｎＰの断線、開放

''ストレス大分類：''特殊故障

''ストレス小分類：''電源電圧

''故障メカニズム大分類：''ホットエレクトロン・バリスティック輸送

''故障メカニズム小分類：''インパクトイオン化

''故障フェーズⅠ：''電流密度の上昇

''故障フェーズⅡ：''ボイドの発生

''故障モード：''断線、開放

''アイテム：''超ＬＳＩ(場所による)0.2μm以下ＧａＡｓ、ＩｎＰ

''故障の発生原理：''

''故障モードの検出：''[[SEM>tag/sem]]
#region(SEM)
SEM

走査型電子顕微鏡(Scanning Electron Microscope)
#endregion

''主な業界・分野：''電子デバイス

''抑制対策(再発防止策)：''

''抑制対策(評価基準)：''

''備考：''

#generate_tags()

#set_tags(電源電圧,ホットエレクトロン・バリスティック輸送,インパクトイオン化,電流密度の上昇,ボイドの発生,断線、開放,超ＬＳＩ0.2μm以下ＧａＡｓ、ＩｎＰ,SEM,電子デバイス)