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''KB番号:''158
''概要説明:''高電圧による半導体ICメモリ、MOSメモリの一過性の誤動作
''ストレス大分類:''特殊故障
''ストレス小分類:''高電圧
''故障メカニズム大分類:''放射線
''故障メカニズム大分類:''[[放射線>tag/放射線]]
''故障メカニズム小分類:''ソフトエラー
''故障フェーズⅠ:''σ線の照射
''故障フェーズⅡ:''情報の反転
''故障モード:''一過性の誤動作
''アイテム:''半導体ICメモリ、MOSメモリ
''故障の発生原理:''
''故障モードの検出:''SEM
''故障モードの検出:''[[SEM>tag/sem]]
#region(SEM)
SEM
走査型電子顕微鏡(Scanning Electron Microscope)
#endregion
''主な業界・分野:''
''抑制対策(再発防止策):''(再発防止策)
''抑制対策(再発防止策):''
''抑制対策(評価基準):''
''備考:''
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#set_tags(高電圧による半導体ICメモリ、MOSメモリの一過性の誤動作,特殊故障,高電圧,放射線,ソフトエラー,σ線の照射,情報の反転,一過性の誤動作,半導体ICメモリ、MOSメモリ,,SEM,)
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