シンビオ社会研究会 原子力WEB教材


KB番号/158高電圧による半導体ICメモリ、MOSメモリの一過性の誤動作 のバックアップ(No.3)


KB番号:158

概要説明:高電圧による半導体ICメモリ、MOSメモリの一過性の誤動作

ストレス大分類:特殊故障

ストレス小分類:高電圧

故障メカニズム大分類:放射線

故障メカニズム小分類:ソフトエラー

故障フェーズⅠ:σ線の照射

故障フェーズⅡ:情報の反転

故障モード:一過性の誤動作

アイテム:半導体ICメモリ、MOSメモリ

故障の発生原理:

故障モードの検出:SEM?

+  SEM

主な業界・分野:

抑制対策(再発防止策):

抑制対策(評価基準):

備考:

Tag:[, sem, σ線の照射, ソフトエラー, 一過性の誤動作, 半導体ICメモリ、MOSメモリ, 情報の反転, 放射線, 特殊故障, 高電圧]