シンビオ社会研究会 原子力WEB教材


KB番号/012高温による回路基盤(Si基盤)のリーク電流増大 の変更点


''KB番号:''012

''概要説明:''高温による回路基盤(Si基盤)のリーク電流増大

''ストレス大分類:''温度

''ストレス小分類:''高温

''故障メカニズム大分類:''アロイスパイク

''故障メカニズム小分類:''

''故障フェーズⅠ:''高温処理

''故障フェーズⅡ:''絶縁劣化

''故障モード:''リーク電流増大

''アイテム:''回路基盤(Si基盤)

''故障の発生原理:''

''故障モードの検出:''[[SEM>tags/sem]]
''故障モードの検出:''[[SEM>tag/sem]]
#region(SEM)
SEM

走査型電子顕微鏡(Scanning Electron Microscope)
#endregion

''主な業界・分野:''

''抑制対策(再発防止策):''

''抑制対策(評価基準):''

''備考:''

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#set_tags(温度,高温,アロイスパイク,,高温処理,絶縁劣化,リーク電流増大,回路基盤,SEM)