''KB番号：''111 ''概要説明：''高電圧＋時間による集積回路の絶縁破壊 ''ストレス大分類：''電界 ''ストレス小分類：''高電圧＋時間 ''故障メカニズム大分類：''ＴＤＤＢ ''故障メカニズム小分類：'' ''故障フェーズⅠ：''酸化膜の薄膜化 ''故障フェーズⅡ：'' ''故障モード：''絶縁破壊 ''アイテム：''集積回路 ''故障の発生原理：''定性的なメカニズムとして、以下の2つがあげられている。 ・正電荷起因モデル ・電子およびホールトラップモデル ''故障モードの検出：''[[SEM>tag/sem]] #region(SEM) SEM 走査型電子顕微鏡(Scanning Electron Microscope) #endregion ''主な業界・分野：''電子デバイス、高分子材料、電力 ''抑制対策(再発防止策)：'' ''抑制対策(評価基準)：'' ''備考：'' #generate_tags() #set_tags(高電圧＋時間による集積回路の絶縁破壊,電界,高電圧＋時間,ＴＤＤＢ,,酸化膜の薄膜化,,絶縁破壊,集積回路,定性的なメカニズムとして、以下の2つがあげられている。 ・正電荷起因モデル ・電子およびホールトラップモデル,ＳＥＭ,電子デバイス、高分子材料、電力) #set_tags(高電圧＋時間による集積回路の絶縁破壊,電界,高電圧＋時間,ＴＤＤＢ,,酸化膜の薄膜化,,絶縁破壊,集積回路,定性的なメカニズムとして、以下の2つがあげられている。 ・正電荷起因モデル ・電子およびホールトラップモデル,SEM,電子デバイス、高分子材料、電力)