''KB番号：''115 ''概要説明：''高電圧による半導体内部の接触部の発熱、発火 ''ストレス大分類：''電界 ''ストレス小分類：''高電圧 ''故障メカニズム大分類：''導電性発熱物の生成 ''故障メカニズム小分類：''亜酸化銅増殖現象 ''故障フェーズⅠ：''亜酸化銅の発生 ''故障フェーズⅡ：''電子雪崩による高温 ''故障モード：''発熱、発火 ''アイテム：''半導体内部の接触部 ''故障の発生原理：'' ''故障モードの検出：''ＳＥＭ ''故障モードの検出：''[[SEM>tag/sem]] #region(SEM) SEM 走査型電子顕微鏡(Scanning Electron Microscope) #endregion ''主な業界・分野：''電子デバイス、高分子材料、電力 ''抑制対策(再発防止策)：'' ''抑制対策(評価基準)：'' ''備考：'' #generate_tags() #set_tags(高電圧による半導体内部の接触部の発熱、発火,電界,高電圧,導電性発熱物の生成,亜酸化銅増殖現象,亜酸化銅の発生,電子雪崩による高温,発熱、発火,半導体内部の接触部,,ＳＥＭ,電子デバイス、高分子材料、電力) #set_tags(電界,高電圧,導電性発熱物の生成,亜酸化銅増殖現象,亜酸化銅の発生,電子雪崩による高温,発熱、発火,半導体内部の接触部,,SEM,電子デバイス、高分子材料、電力)