''KB番号：''121 ''概要説明：''ＭＯＳＦＥＴのドレインへの電圧印加による集積回路の動作スピードの遅れ ''ストレス大分類：''電界 ''ストレス小分類：''ＭＯＳＦＥＴのドレインへの電圧印加 ''故障メカニズム大分類：''素子や酸化膜の劣化(ホットキャリア) ''故障メカニズム小分類：'' ''故障フェーズⅠ：''酸化膜中へのキャリア注入(特性変動) ''故障フェーズⅡ：''素子劣化 ''故障モード：''動作スピードの遅れ ''アイテム：''集積回路 ''故障の発生原理：''(劣化寿命と基盤電流の関係) ''故障モードの検出：''ＳＥＭ ''故障モードの検出：''[[SEM>tag/sem]] #region(SEM) SEM 走査型電子顕微鏡(Scanning Electron Microscope) #endregion ''主な業界・分野：''電子デバイス、高分子材料、電力 ''抑制対策(再発防止策)：'' ''抑制対策(評価基準)：'' ''備考：'' #generate_tags() #set_tags(ＭＯＳＦＥＴのドレインへの電圧印加による集積回路の動作スピードの遅れ,電界,ＭＯＳＦＥＴのドレインへの電圧印加,素子や酸化膜の劣化(ホットキャリア),,酸化膜中へのキャリア注入(特性変動),素子劣化,動作スピードの遅れ,集積回路,(劣化寿命と基盤電流の関係),ＳＥＭ,電子デバイス、高分子材料、電力) #set_tags(電界,ＭＯＳＦＥＴのドレインへの電圧印加,素子や酸化膜の劣化,,酸化膜中へのキャリア注入,素子劣化,動作スピードの遅れ,集積回路,SEM,電子デバイス、高分子材料、電力)