シンビオ社会研究会 原子力WEB教材


KB番号/122電源電圧変動、サージによるMOS-IC、CMOS-ICの絶縁不良 の変更点


''KB番号:''122

''概要説明:''電源電圧変動、サージによるMOS-IC、CMOS-IC(NPN、PNP)の絶縁不良

''ストレス大分類:''電界

''ストレス小分類:''電源電圧変動、サージ

''故障メカニズム大分類:''[[ラッチアップ>tag/ラッチアップ]]
#region(ラッチアップ)
ラッチアップ

IC回路において、予期しない電圧による通電が原因で、数百mAもの大電流が流れICが破壊される現象
#endregion



''故障メカニズム小分類:''

''故障フェーズⅠ:''寄生のサイリスタ→ON状態へ

''故障フェーズⅡ:''大電流の導電

''故障モード:''絶縁不良

''アイテム:''MOS-IC、CMOS-IC(NPN、PNP)

''故障の発生原理:''

''故障モードの検出:''過流探傷機

''主な業界・分野:''電子デバイス、高分子材料、電力

''抑制対策(再発防止策):''

''抑制対策(評価基準):''

''備考:''

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