''KB番号：''123 ''概要説明：''高温電圧によるＭＯＳデバイスの動作スピードの遅れ ''ストレス大分類：''電界 ''ストレス小分類：''高温電圧 ''故障メカニズム大分類：''スロートラップ ''故障メカニズム小分類：'' ''故障フェーズⅠ：''電荷によるＳｉ表面電位の変動 ''故障フェーズⅡ：''電気的特性の安定性や再現性へ影響 ''故障モード：''動作スピードの遅れ ''アイテム：''ＭＯＳデバイス ''故障の発生原理：'' ''故障モードの検出：''ＳＥＭ ''故障モードの検出：''[[SEM>tag/sem]] #region(SEM) SEM 走査型電子顕微鏡(Scanning Electron Microscope) #endregion ''主な業界・分野：''電子デバイス、高分子材料、電力 ''抑制対策(再発防止策)：'' ''抑制対策(評価基準)：'' ''備考：'' #generate_tags() #set_tags(高温電圧によるＭＯＳデバイスの動作スピードの遅れ,電界,高温電圧,スロートラップ,,電荷によるＳｉ表面電位の変動,電気的特性の安定性や再現性へ影響,動作スピードの遅れ,ＭＯＳデバイス,,ＳＥＭ,電子デバイス、高分子材料、電力) #set_tags(電界,高温電圧,スロートラップ,,電荷によるＳｉ表面電位の変動,電気的特性の安定性や再現性へ影響,動作スピードの遅れ,ＭＯＳデバイス,,SEM,電子デバイス、高分子材料、電力)