シンビオ社会研究会 原子力WEB教材


KB番号/156電源電圧による超LSI(場所による)0.2μm以下GaAs、InPの断線、開放 の変更点


''KB番号:''156

''概要説明:''電源電圧による超LSI(場所による)0.2μm以下GaAs、InPの断線、開放

''ストレス大分類:''特殊故障

''ストレス小分類:''電源電圧

''故障メカニズム大分類:''ホットエレクトロン・バリスティック輸送

''故障メカニズム小分類:''インパクトイオン化

''故障フェーズⅠ:''電流密度の上昇

''故障フェーズⅡ:''ボイドの発生

''故障モード:''断線、開放

''アイテム:''超LSI(場所による)0.2μm以下GaAs、InP

''故障の発生原理:''

''故障モードの検出:''[[SEM>tag/sem]]
#region(SEM)
SEM

走査型電子顕微鏡(Scanning Electron Microscope)
#endregion

''主な業界・分野:''電子デバイス

''抑制対策(再発防止策):''

''抑制対策(評価基準):''

''備考:''

#generate_tags()

#set_tags(電源電圧,ホットエレクトロン・バリスティック輸送,インパクトイオン化,電流密度の上昇,ボイドの発生,断線、開放,超LSI0.2μm以下GaAs、InP,SEM,電子デバイス)

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