''KB番号：''156 ''概要説明：''電源電圧による超ＬＳＩ(場所による)0.2μm以下ＧａＡｓ、ＩｎＰの断線、開放 ''ストレス大分類：''特殊故障 ''ストレス小分類：''電源電圧 ''故障メカニズム大分類：''ホットエレクトロン・バリスティック輸送 ''故障メカニズム小分類：''インパクトイオン化 ''故障フェーズⅠ：''電流密度の上昇 ''故障フェーズⅡ：''ボイドの発生 ''故障モード：''断線、開放 ''アイテム：''超ＬＳＩ(場所による)0.2μm以下ＧａＡｓ、ＩｎＰ ''故障の発生原理：'' ''故障モードの検出：''[[SEM>tag/sem]] #region(SEM) SEM 走査型電子顕微鏡(Scanning Electron Microscope) #endregion ''主な業界・分野：''電子デバイス ''抑制対策(再発防止策)：'' ''抑制対策(評価基準)：'' ''備考：'' #generate_tags() #set_tags(電源電圧,ホットエレクトロン・バリスティック輸送,インパクトイオン化,電流密度の上昇,ボイドの発生,断線、開放,超ＬＳＩ0.2μm以下ＧａＡｓ、ＩｎＰ,SEM,電子デバイス) Artclies like this are an example of quick, helpful answers.