''KB番号：''158 ''概要説明：''高電圧による半導体ＩＣメモリ、ＭＯＳメモリの一過性の誤動作 ''ストレス大分類：''特殊故障 ''ストレス小分類：''高電圧 ''故障メカニズム大分類：''放射線 ''故障メカニズム大分類：''[[放射線>tag/放射線]] ''故障メカニズム小分類：''ソフトエラー ''故障フェーズⅠ：''σ線の照射 ''故障フェーズⅡ：''情報の反転 ''故障モード：''一過性の誤動作 ''アイテム：''半導体ＩＣメモリ、ＭＯＳメモリ ''故障の発生原理：'' ''故障モードの検出：''[[SEM>tag/sem]] #region(SEM) SEM 走査型電子顕微鏡(Scanning Electron Microscope) #endregion ''主な業界・分野：'' ''抑制対策(再発防止策)：'' ''抑制対策(評価基準)：'' ''備考：'' #generate_tags() #set_tags(特殊故障,高電圧,放射線,ソフトエラー,σ線の照射,情報の反転,一過性の誤動作,半導体ＩＣメモリ、ＭＯＳメモリ,SEM,)