シンビオ社会研究会 原子力WEB教材


KB番号/158高電圧による半導体ICメモリ、MOSメモリの一過性の誤動作 の変更点


''KB番号:''158

''概要説明:''高電圧による半導体ICメモリ、MOSメモリの一過性の誤動作

''ストレス大分類:''特殊故障

''ストレス小分類:''高電圧

''故障メカニズム大分類:''放射線
''故障メカニズム大分類:''[[放射線>tag/放射線]]

''故障メカニズム小分類:''ソフトエラー

''故障フェーズⅠ:''σ線の照射

''故障フェーズⅡ:''情報の反転

''故障モード:''一過性の誤動作

''アイテム:''半導体ICメモリ、MOSメモリ

''故障の発生原理:''

''故障モードの検出:''[[SEM>tag/sem]]
#region(SEM)
SEM

走査型電子顕微鏡(Scanning Electron Microscope)
#endregion

''主な業界・分野:''

''抑制対策(再発防止策):''

''抑制対策(評価基準):''

''備考:''

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