#back(back, left, 0) * sem [#k1f883ef] * sem [#mbd39cdd] -[[KB番号/012高温による回路基盤(Si基盤)のリーク電流増大]] -[[KB番号/013高温による電線と接触箇所のゆがみ部分のジュール熱の発生]] -[[KB番号/020加熱＋乾燥＋時間によるプラスチックの発火]] -[[KB番号/028高湿＋高温によるステンレス鋼、銅、亜鉛などの割れ、き裂、破断]] -[[KB番号/029高湿＋高温によるガスケット面、門部などの割れ、き裂、破断]] -[[KB番号/031高湿＋常温によるプラスチック材料の割れ、き裂、破断]] -[[KB番号/043高温＋応力＋時間による内圧管の管壁の変形・破損]] -[[KB番号/050高温＋応力による集積回路(パッケージ製品)の膨張]] -[[KB番号/051高温＋応力によるコンクリートの剥離、クラック]] -[[KB番号/053高温＋しゅう動による機械の運転停止、破壊]] -[[KB番号/063繰返し応力＋摩擦力による歯車、(転がり)軸受け、タイヤのクラック剥離]] -[[KB番号/068しゅう動による剥離、脱落]] -[[KB番号/074応力＋時間腐食環境＋材料＋放射線損傷に構造用材料のき裂、割れ、破損]] -[[KB番号/080吸湿・脱湿サイクルによる樹脂材料被覆樹脂、プリント基板の破損]] -[[KB番号/095低湿による回転機器、半導体、表面並みデバイスの劣化、破壊]] -[[KB番号/098低湿による低沸点配合物入り樹脂の破損]] -[[KB番号/100腐食性ガス＋電界によるＡｇの短絡]] -[[KB番号/102湿度＋電界によるBi、Cd、Cu、Pb、Sb、Zn、Agの短絡、絶縁不良]] -[[KB番号/103湿度＋電界＋ハロゲンによるハロゲンで移行する金属の短絡、絶縁不良]] -[[KB番号/104湿度＋電界による抵抗器、樹脂封止ＩＣなどの断線]] -[[KB番号/105妨害電波による入力、接地回路シールド不良の誤動作、電力破壊、電圧破壊]] -[[KB番号/106瞬時停電による電源回路の誤動作、電力破壊、電圧破壊]] -[[KB番号/107雑音(内部、外部)による入力接地回路デバイスの誤動作、電力破壊、電圧破壊]] -[[KB番号/108雷、誘電雷による入力接地回路保護デバイスの誤動作、電力破壊、電圧破壊]] -[[KB番号/109サージ電流による入力接地電源回路スイッチの誤動作、電力破壊、電圧破壊]] -[[KB番号/111高電圧＋時間による集積回路の絶縁破壊]] -[[KB番号/115高電圧による半導体内部の接触部の発熱、発火]] -[[KB番号/116高電圧による電路の接続部分の発熱、発火]] -[[KB番号/121ＭＯＳＦＥＴのドレインへの電圧印加による集積回路の動作スピードの遅れ]] -[[KB番号/123高温電圧によるＭＯＳデバイスの動作スピードの遅れ]] -[[KB番号/132工業地帯による短い電極間、基盤高電圧電極間の配線の断線、短絡、汚染]] -[[KB番号/138高温有機ガス中によるAg、Au、Cu、Pd、Pt接点と接点開閉機器の接触不良]] -[[KB番号/139高温低湿蒸気中のPt,Pd,Ru,Ta,Mo,Cr接点と接点開閉機器の電気的接触不良、雑音]] -[[KB番号/140シリコーンガス＋アークエネルギーによる硅素化合物などの接触不良]] -[[KB番号/150高温によるCo＞Mn＞Cu＞Fe＞V≫Ni＞Ti≒Cd＞Pure≧Ba≧Srの分解、破断]] -[[KB番号/151常温による塩ビ可塑剤、安定剤の変色、劣化、割れ]] -[[KB番号/152常温による元素(Cd、Sn、Zn、Sb)、合金(Sn－Al、Sn－Zn、Pb－Cu、In－Mg)の短絡]] -[[KB番号/153常温によるＡｇ２Ｓ、Ｃｕ２Ｓ、ＮａＭｏ２Ｏ７の短絡]] -[[KB番号/154常温によるプラスチック材料の短絡]] -[[KB番号/155常温によるプラスチック材料の断線、破損]] -[[KB番号/156電源電圧による超ＬＳＩ(場所による)0.2μm以下ＧａＡｓ、ＩｎＰの断線、開放]] -[[KB番号/157高電圧によるＣＴＶ，レーダー、電子レンジなど半導体メモリの放射線障害]] -[[KB番号/158高電圧による半導体ＩＣメモリ、ＭＯＳメモリの一過性の誤動作]] -[[KB番号/160日光照射によるプラスチック材料の変色、劣化、破損]]