KB番号/111高電圧+時間による集積回路の絶縁破壊
KB番号:111
概要説明:高電圧+時間による集積回路の絶縁破壊
ストレス大分類:電界
ストレス小分類:高電圧+時間
故障メカニズム大分類:TDDB
故障メカニズム小分類:
故障フェーズⅠ:酸化膜の薄膜化
故障フェーズⅡ:
故障モード:絶縁破壊
アイテム:集積回路
故障の発生原理:定性的なメカニズムとして、以下の2つがあげられている。 ・正電荷起因モデル ・電子およびホールトラップモデル
故障モードの検出:SEM?
SEM |
主な業界・分野:電子デバイス、高分子材料、電力
抑制対策(再発防止策):
抑制対策(評価基準):
備考:
Link: tag/電子デバイス、高分子材料、電力(5321d)
tag/電界(5321d)
Last-modified: 2010-04-30 (金) 04:16:21 (5322d)