シンビオ社会研究会 原子力WEB教材


KB番号/115高電圧による半導体内部の接触部の発熱、発火

KB番号:115

概要説明:高電圧による半導体内部の接触部の発熱、発火

ストレス大分類:電界

ストレス小分類:高電圧

故障メカニズム大分類:導電性発熱物の生成

故障メカニズム小分類:亜酸化銅増殖現象

故障フェーズⅠ:亜酸化銅の発生

故障フェーズⅡ:電子雪崩による高温

故障モード:発熱、発火

アイテム:半導体内部の接触部

故障の発生原理:

故障モードの検出:SEM?

+  SEM

主な業界・分野:電子デバイス、高分子材料、電力

抑制対策(再発防止策):

抑制対策(評価基準):

備考:

Last-modified: 2010-04-30 (金) 04:16:48 (5322d)