KB番号/121ＭＯＳＦＥＴのドレインへの電圧印加による集積回路の動作スピードの遅れ
KB番号：121
概要説明：ＭＯＳＦＥＴのドレインへの電圧印加による集積回路の動作スピードの遅れ
ストレス大分類：電界
ストレス小分類：ＭＯＳＦＥＴのドレインへの電圧印加
故障メカニズム大分類：素子や酸化膜の劣化(ホットキャリア)
故障メカニズム小分類：
故障フェーズⅠ：酸化膜中へのキャリア注入(特性変動)
故障フェーズⅡ：素子劣化
故障モード：動作スピードの遅れ
アイテム：集積回路
故障の発生原理：(劣化寿命と基盤電流の関係)
故障モードの検出：SEM?
| SEM |
主な業界・分野：電子デバイス、高分子材料、電力
抑制対策(再発防止策)：
抑制対策(評価基準)：
備考：
Link: tag/電子デバイス、高分子材料、電力(5321d)
tag/電界(5321d)
Last-modified: 2010-04-30 (金) 04:17:50 (5322d)