シンビオ社会研究会 原子力WEB教材

KB番号：123

概要説明：高温電圧によるＭＯＳデバイスの動作スピードの遅れ

ストレス大分類：電界

ストレス小分類：高温電圧

故障メカニズム大分類：スロートラップ

故障メカニズム小分類：

故障フェーズⅠ：電荷によるＳｉ表面電位の変動

故障フェーズⅡ：電気的特性の安定性や再現性へ影響

故障モード：動作スピードの遅れ

アイテム：ＭＯＳデバイス

故障の発生原理：

故障モードの検出：SEM?

主な業界・分野：電子デバイス、高分子材料、電力

抑制対策(再発防止策)：

抑制対策(評価基準)：

備考：