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概要説明:高電圧による半導体ICメモリ、MOSメモリの一過性の誤動作
ストレス大分類:特殊故障
ストレス小分類:高電圧
故障メカニズム大分類:放射線?
故障メカニズム小分類:ソフトエラー
故障フェーズⅠ:σ線の照射
故障フェーズⅡ:情報の反転
故障モード:一過性の誤動作
アイテム:半導体ICメモリ、MOSメモリ
故障の発生原理:
故障モードの検出:SEM?
SEM
走査型電子顕微鏡(Scanning Electron Microscope)
主な業界・分野:
抑制対策(再発防止策):
抑制対策(評価基準):
備考: