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シンビオ社会研究会 原子力WEB教材
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KB番号/012高温による回路基盤(Si基盤)のリーク電流増大
(5322d)
KB番号/013高温による電線と接触箇所のゆがみ部分のジュール熱の発生
(5322d)
KB番号/029高湿＋高温によるガスケット面、門部などの割れ、き裂、破断
(5321d)
KB番号/043高温＋応力＋時間による内圧管の管壁の変形・破損
(5322d)
KB番号/050高温＋応力による集積回路(パッケージ製品)の膨張
(5322d)
KB番号/051高温＋応力によるコンクリートの剥離、クラック
(5322d)
KB番号/053高温＋しゅう動による機械の運転停止、破壊
(5322d)
KB番号/063繰返し応力＋摩擦力による歯車、(転がり)軸受け、タイヤのクラック剥離
(5322d)
KB番号/068しゅう動による剥離、脱落
(5296d)
KB番号/074応力＋時間腐食環境＋材料＋放射線損傷に構造用材料のき裂、割れ、破損
(5322d)
KB番号/080吸湿・脱湿サイクルによる樹脂材料被覆樹脂、プリント基板の破損
(5321d)
KB番号/095低湿による回転機器、半導体、表面並みデバイスの劣化、破壊
(5322d)
KB番号/098低湿による低沸点配合物入り樹脂の破損
(5322d)
KB番号/100腐食性ガス＋電界によるＡｇの短絡
(5322d)
KB番号/102湿度＋電界によるBi、Cd、Cu、Pb、Sb、Zn、Agの短絡、絶縁不良
(5322d)
KB番号/103湿度＋電界＋ハロゲンによるハロゲンで移行する金属の短絡、絶縁不良
(5322d)
KB番号/104湿度＋電界による抵抗器、樹脂封止ＩＣなどの断線
(5321d)
KB番号/105妨害電波による入力、接地回路シールド不良の誤動作、電力破壊、電圧破壊
(5322d)
KB番号/106瞬時停電による電源回路の誤動作、電力破壊、電圧破壊
(5322d)
KB番号/107雑音(内部、外部)による入力接地回路デバイスの誤動作、電力破壊、電圧破壊
(5322d)
KB番号/108雷、誘電雷による入力接地回路保護デバイスの誤動作、電力破壊、電圧破壊
(5322d)
KB番号/109サージ電流による入力接地電源回路スイッチの誤動作、電力破壊、電圧破壊
(5322d)
KB番号/111高電圧＋時間による集積回路の絶縁破壊
(5322d)
KB番号/115高電圧による半導体内部の接触部の発熱、発火
(5322d)
KB番号/116高電圧による電路の接続部分の発熱、発火
(5322d)
KB番号/121ＭＯＳＦＥＴのドレインへの電圧印加による集積回路の動作スピードの遅れ
(5322d)
KB番号/123高温電圧によるＭＯＳデバイスの動作スピードの遅れ
(5322d)
KB番号/138高温有機ガス中によるAg、Au、Cu、Pd、Pt接点と接点開閉機器の接触不良
(5321d)
KB番号/139高温低湿蒸気中のPt,Pd,Ru,Ta,Mo,Cr接点と接点開閉機器の電気的接触不良、雑音
(5321d)
KB番号/140シリコーンガス＋アークエネルギーによる硅素化合物などの接触不良
(5322d)
KB番号/150高温によるCo＞Mn＞Cu＞Fe＞V≫Ni＞Ti≒Cd＞Pure≧Ba≧Srの分解、破断
(5322d)
KB番号/151常温による塩ビ可塑剤、安定剤の変色、劣化、割れ
(5322d)
KB番号/152常温による元素(Cd、Sn、Zn、Sb)、合金(Sn－Al、Sn－Zn、Pb－Cu、In－Mg)の短絡
(5321d)
KB番号/153常温によるＡｇ２Ｓ、Ｃｕ２Ｓ、ＮａＭｏ２Ｏ７の短絡
(5321d)
KB番号/154常温によるプラスチック材料の短絡
(5322d)
KB番号/155常温によるプラスチック材料の断線、破損
(5322d)
KB番号/157高電圧によるＣＴＶ，レーダー、電子レンジなど半導体メモリの放射線障害
(5321d)
KB番号/158高電圧による半導体ＩＣメモリ、ＭＯＳメモリの一過性の誤動作
(5321d)
KB番号/160日光照射によるプラスチック材料の変色、劣化、破損
(5321d)